采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C88NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：11.7A€14.2A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1086，"16+"：3893，"18+"：35100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C86NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1153pF@15V
连续漏极电流：11.3A€18.1A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1086，"16+"：3893，"18+"：35100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C86NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1153pF@15V
连续漏极电流：11.3A€18.1A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：789400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C86NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1153pF@15V
连续漏极电流：11.3A€18.1A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：789400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C86NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1153pF@15V
连续漏极电流：11.3A€18.1A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：789400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C86NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1153pF@15V
连续漏极电流：11.3A€18.1A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4447DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：805pF@20V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.5A，15V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C86NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1153pF@15V
连续漏极电流：11.3A€18.1A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C88NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：11.7A€14.2A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD4C86NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1153pF@15V
连续漏极电流：11.3A€18.1A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：5.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSN21319C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
