品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1890}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS010N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€32W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:13A€43A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7069,"23+":94567,"MI+":2111}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C486NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€18W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:9.8A€24A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C478NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€23W
阈值电压:2.2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:10.5A€29A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€24W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:11A€36A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: