首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    行业应用
    阈值电压
    栅极电荷
    包装方式
    漏源电压
    连续漏极电流
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 2.5V@250µA
    栅极电荷: 10nC@4.5V
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":207500,"13+":30000,"14+":74585}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NHT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订1293个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订1293个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NHT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订1293个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NHT4G 起订1293个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":207500,"13+":30000,"14+":74585}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NHT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1040pF@20V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    输入电容:940pF@12V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:7.6A€40A

    栅极电荷:10nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:1.27W€35.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    漏源电压:30V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    输入电容:940pF@12V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:7.6A€40A

    栅极电荷:10nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    功率:1.27W€35.3W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P-AU_R2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:10A€42A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€42W

    输入电容:1040pF@20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4448P_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4448P_R2_00001

    功率:2W€35W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    连续漏极电流:10A€42A

    输入电容:1040pF@20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    导通电阻:11mΩ@8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订2004个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4813NH-35G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4813NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€35.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:940pF@12V

    连续漏极电流:7.6A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧