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    阈值电压: 2.5V@250µA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQP50P03-07_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQP50P03-07_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5380pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订3562个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4815NH-1G 起订3562个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":265,"10+":63975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4815NH-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.26W€32.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:845pF@12V

    连续漏极电流:6.9A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLP3034PBF 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLP3034PBF 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLP3034PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:341W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:162nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:10315pF@25V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@195A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AT 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:215W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4954pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G 起订1086个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4979N-35G 起订1086个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":10875}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4979N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.38W€26.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:837pF@15V

    连续漏极电流:9.4A€41A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70101EL-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70101EL-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70101EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7000pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP160N3LL 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP160N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NH-35G 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":39440,"09+":57,"10+":24375}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NH-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2155pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4965N-35G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":300,"15+":25815}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4965N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.39W€38.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1710pF@15V

    连续漏极电流:13A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP40NF10L 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP40NF10L

    工作温度:175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:64nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-35G 起订972个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-35G 起订972个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2925}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4855N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.35W€66.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32.7nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@12V

    连续漏极电流:14A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-35G 起订329个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-35G 起订329个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":4950}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4854N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€93.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@12V

    连续漏极电流:15.7A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP40010EL-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP40010EL-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP40010EL-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11155pF@30V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813N-35G 起订709个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3813N-35G 起订709个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":11550}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3813N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W€34.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.8nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:963pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€51A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STP200N3LL 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP200N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:53nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@60A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP20N06L 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2150

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP20N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STI55NF03L 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STI55NF03L 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STI55NF03L

    工作温度:-60℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1265pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810N-1G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810N-1G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":6700,"08+":2850}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4810N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1350pF@12V

    连续漏极电流:9A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804N-35G 起订713个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804N-35G 起订713个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":150,"10+":39754,"11+":3975}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4804N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4490pF@12V

    连续漏极电流:14.5A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8870 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP8870 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP8870

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:132nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:19A€156A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-35G 起订1781个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4809NA-35G 起订1781个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1415,"09+":1425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4809NA-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1456pF@12V

    连续漏极电流:9.6A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4806N-35G 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4806N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2142pF@12V

    连续漏极电流:11.3A€79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4856N-35G 起订1145个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4856N-35G 起订1145个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2550}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4856N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.33W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2241pF@12V

    连续漏极电流:13.3A€89A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863N-35G 起订1233个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863N-35G 起订1233个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1500,"10+":45825,"11+":195900}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4863N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€36.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:990pF@12V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB3036PBF 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB3036PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:380W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:140nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:11210pF@50V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@165A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF30N06L 起订577个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF30N06L 起订577个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":676}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF30N06L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1040pF@25V

    连续漏极电流:22.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@11.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP5800 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP5800

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:242W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9160pF@15V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-1G 起订329个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-1G 起订329个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1800}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4854N-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€93.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@12V

    连续漏极电流:15.7A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858N-35G 起订971个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858N-35G 起订971个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":75,"13+":750,"14+":110416,"18+":5425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4858N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€54.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1563pF@12V

    连续漏极电流:11.2A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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