采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Comchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002-HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KW-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002E-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@250mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
