采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS944ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@1.25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5948DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：82mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4485DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD6N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7223DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€23W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1425pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：26.4mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS966ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：572pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：127500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：127500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD6N303R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS944ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@1.25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7223DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€23W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1425pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：26.4mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS944ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@1.25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2260
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：426pF@30V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS966ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：572pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7223DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€23W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1425pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：26.4mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：1250，"05+"：49800，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5468DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5468DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7223DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€23W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1425pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：26.4mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5468DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€5.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2338DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
