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    行业应用: 汽车
    阈值电压: 2.5V@250µA
    连续漏极电流: 60A
    当前匹配商品:400+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04-TP 起订3个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU60N04-TP 起订3个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU60N04-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ444EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA26DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2247pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T2_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T2_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2922pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR470DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR470DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR470DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5660pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR470DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR470DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR470DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5660pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ860EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T2_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ409EP-T2_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ409EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR440DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR440DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR440DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.8mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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