品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT66616L
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@30V
连续漏极电流:38.5A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT66616L
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@30V
连续漏极电流:38.5A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT66616L
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@30V
连续漏极电流:38.5A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF66616L
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W€30W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@30V
连续漏极电流:38A€72.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT296L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€107W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:9.5A€70A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT296L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€107W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:9.5A€70A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT296L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€107W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:9.5A€70A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19533KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19535KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7930pF@50V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT66616L
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@30V
连续漏极电流:38.5A€140A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT296L
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€107W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2785pF@50V
连续漏极电流:9.5A€70A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19503KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@60A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19534KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1670pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: