品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N04LDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3990pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2599,"22+":1454,"23+":1866,"MI+":2919}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@30µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2.2V@30µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:16A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5203}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L07AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L07ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6748,"23+":64401,"MI+":10530}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L07ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2.2V@30µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:16A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L07ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N04LDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3990pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€37W
阈值电压:2.2V@30µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@25V
连续漏极电流:16A€52A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C478NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€30W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:14A€45A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC072N04LDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3990pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2599,"22+":1454,"23+":1866,"MI+":2919}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@70A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N04S4L07ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@30µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3980pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.2mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C672NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€45W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:793pF@25V
连续漏极电流:12A€49A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.9mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€40W
阈值电压:2.2V@30µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:997pF@25V
连续漏极电流:14A€52A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.4mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: