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    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 42nC@10V
    当前匹配商品:1100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC042N03LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC042N03LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@15V

    连续漏极电流:20A€93A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG11N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFGQ-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFGQ-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2nF@15V

    连续漏极电流:16A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE065N10NM5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE065N10NM5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE065N10NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:3.8V@48µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:14A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6510 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6510 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6510

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€46W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2160pF@15V

    连续漏极电流:28A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC042N03LSGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC042N03LSGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@15V

    连续漏极电流:20A€93A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:16A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE065N10NM5ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IQE065N10NM5ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IQE065N10NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€100W

    阈值电压:3.8V@48µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@50V

    连续漏极电流:14A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS46DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS46DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS46DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@50V

    连续漏极电流:12.5A€45.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC042N03LSGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC042N03LSGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@15V

    连续漏极电流:20A€93A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200DC 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200DC 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2955pF@75V

    连续漏极电流:9.3A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R099C7ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R099C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@490µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40APBF 起订26个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40APBF 起订26个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1036pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7115DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7115DN-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订2个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订2个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ26N50P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2220pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R099C7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R099C7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R099C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS46DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS46DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS46DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€65.7W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@50V

    连续漏极电流:12.5A€45.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200DC 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMS86200DC 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2955pF@75V

    连续漏极电流:9.3A€28A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA90R800C3XKSA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA90R800C3XKSA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA90R800C3XKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:3.5V@460µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R080G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R080G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R080G7XTMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@490µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@400V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC042N03LSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC042N03LSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3500pF@15V

    连续漏极电流:20A€93A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40ASPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40ASPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBC40ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1036pF@25V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1190pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R104C7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R104C7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R104C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:122W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1819pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@9.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4490DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4490DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4490DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.85A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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