采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS80TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，40A
关断延迟时间：114ns
关断损耗：0.66mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：83nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.7mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS80TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，40A
关断延迟时间：114ns
关断损耗：0.66mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：83nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.7mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS80TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，40A
关断延迟时间：114ns
关断损耗：0.66mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：83nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.7mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA22DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：83nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：201A
类型：MOSFET
导通电阻：740μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHS36N50D-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：5V
栅极电荷：83nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：36A
类型：MOSFET
导通电阻：130mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS80TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，40A
关断延迟时间：114ns
关断损耗：0.66mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：83nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.7mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS80TS65DGC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，40A
关断延迟时间：114ns
反向恢复时间：88ns
关断损耗：0.66mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：83nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.7mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHS36N50D-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：5V
栅极电荷：83nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：36A
类型：MOSFET
导通电阻：130mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHS36N50D-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：446W
阈值电压：5V
栅极电荷：83nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：36A
类型：MOSFET
导通电阻：130mΩ
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA22DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：83nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：201A
类型：MOSFET
导通电阻：740μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS80TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，40A
关断延迟时间：114ns
关断损耗：0.66mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：83nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.7mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RGWS80TS65GC13
栅极阈值电压(Vge(th))：2V@15V，40A
关断延迟时间：114ns
关断损耗：0.66mJ
开启延迟时间：40ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：83nC
类型：FS(场截止)
导通损耗：0.7mJ
工作温度：-40℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：331}
包装规格(MPQ)：750psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDQ60R040S7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272W
阈值电压：4.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：331}
包装规格(MPQ)：750psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDQ60R040S7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272W
阈值电压：4.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：331}
包装规格(MPQ)：750psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDQ60R040S7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272W
阈值电压：4.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJA22DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：83nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：201A
类型：MOSFET
导通电阻：740μΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：331}
包装规格(MPQ)：750psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDQ60R040S7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：272W
阈值电压：4.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：83nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIJA22DP-T1-GE3
连续漏极电流：201A
包装方式：Reel
功率：48W
漏源电压：25V
栅极电荷：83nC
阈值电压：2.2V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：MOSFET
导通电阻：740μΩ
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：750psc
销售单位：个
生产批次：{"22+"：331}
规格型号(MPN)：IPDQ60R040S7XTMA1
包装方式：Reel
栅极电荷：83nC
功率：272W
连续漏极电流：14A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：4.5V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
导通电阻：40mΩ
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
