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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R950CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R950CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R950CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R950CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3024SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：479pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4N80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD65R1K4C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@100V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R950CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R950CEAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：53W
阈值电压：3.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：231pF@100V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.2A，13V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
