采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：10.6A€12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6000，"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：10.6A€12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：10.6A€12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：10.6A€12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30N6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6000，"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：10.6A€12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30N6LF6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：10.6A€12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：10.6A€12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：10.6A€12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：10.6A€12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB48EPAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：2，"07+"：2300，"08+"：236009，"09+"：1450，"10+"：15181，"12+"：314804，"13+"：186，"14+"：16，"16+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
输入电容：897pF@15V
连续漏极电流：10.2A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：10.6A€12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA483ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.4W€17.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：10.6A€12A
类型：P沟道
导通电阻：20mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS660CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：11.2Ω@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
