采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26.3mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26.3mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTY18P10T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7853TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4.9V@100µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@25V
连续漏极电流：8.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26.3mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N10F7
工作温度：175℃
功率：5W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3550pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1250，"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB35N10S3L26ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.4V@39µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：26.3mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3690
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1514pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@5.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
