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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
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功率：2W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
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功率：2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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输入电容：755pF@10V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1808GR-9JG-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"20+"：3000}
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规格型号(MPN)：UPA1808GR-9JG-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
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功率：2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
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功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
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功率：2W
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栅极电荷：13nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：6.9A
阈值电压：2.1V@250µA
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功率：2W
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1808GR-9JG-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2W
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ECCN：EAR99
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输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3033LDM-7
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功率：2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
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