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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR818DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR818DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€90W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€90W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR818DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR818DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR818DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR818DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR818DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€90W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR464DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3545pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR818DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR818DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€69W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3660pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€90W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50P06KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€90W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5000pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
