采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.6W€52W
阈值电压：2V@40μA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：13A€48A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S58R4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：771pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8N120K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：505pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2.5A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S58R4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：771pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW8N120K5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：5V@100μA
栅极电荷：13.7nC@10V
输入电容：505pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@2.5A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8N120K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：505pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2.5A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S58R4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3.4V@10µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：771pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：47W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：832pF@15V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.6W€52W
阈值电压：2V@40μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：13A€48A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6018LPSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W€113W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3505pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.6W€52W
阈值电压：2V@40μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：13A€48A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP8N120K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：505pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2.5A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：832pF@15V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€43W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S58R4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：771pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S58R4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：771pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5H610NLWFT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.6W€52W
阈值电压：2V@40μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：13A€48A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S58R4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：771pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S58R4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：771pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：832pF@15V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S58R4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：771pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S58R4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：771pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ40N04S58R4ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3.4V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：771pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN6R4-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：51W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：832pF@15V
连续漏极电流：66A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H610NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€43W
阈值电压：2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP45H4D9HK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：13.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：564pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：4.9Ω@1.05A，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
