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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM500P02CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600P03CS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3414U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：9.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：829.9pF@10V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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