采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3651U
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5522pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3651U
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5522pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3651U
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5522pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3651U
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5522pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3651U
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5522pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3651U
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5522pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP3651U
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：5.5V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5522pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC030N10NM6ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€208W
阈值电压：3.3V@109µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：21A€179A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：3240pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
