品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV20XNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€6.94W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:15+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":198309,"23+":8000,"24+":8000,"MI+":16000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:15+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV20XNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€6.94W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:15+
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":198309,"23+":8000,"24+":8000,"MI+":16000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV20XNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€6.94W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV20XNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€6.94W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV20XNEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:460mW€6.94W
阈值电压:1.25V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@10V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT439N
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:45mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: