品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS015N04CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€23W
阈值电压:3.5V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@25V
连续漏极电流:9.4A€27A
类型:N沟道
导通电阻:17.3mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":296,"16+":25733}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1440-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W€20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.1Ω@800mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JC5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道
导通电阻:280mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JC5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道
导通电阻:280mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@75V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@75V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JC5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道
导通电阻:280mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO6424
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS052P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€23W
阈值电压:2.4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@20V
连续漏极电流:4.7A€13.2A
类型:P沟道
导通电阻:69mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@75V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":296,"16+":25733}
包装规格(MPQ):700psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1440-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W€20W
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:8.1Ω@800mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@75V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:420mA
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JC5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道
导通电阻:280mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV45EN2R
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:209pF@15V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JC5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道
导通电阻:280mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS052P04M8LTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W€23W
阈值电压:2.4V@95µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@20V
连续漏极电流:4.7A€13.2A
类型:P沟道
导通电阻:69mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT86246L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@75V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:228mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: