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    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS015N04CTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS015N04CTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS015N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W€23W

    阈值电压:3.5V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@25V

    连续漏极电流:9.4A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.3mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:420mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:420mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1440-TL-E 起订867个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1440-TL-E 起订867个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":296,"16+":25733}

    包装规格(MPQ):700psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1440-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1W€20W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1Ω@800mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV45EN2R 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV45EN2R 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV45EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6JC5TCR

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:280mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:420mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV45EN2R 起订200个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV45EN2R 起订200个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV45EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6JC5TCR

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:280mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:420mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@75V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:420mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@75V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6JC5TCR

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:280mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO6424 起订1500个装
    AOS Mosfet场效应管 AO6424 起订1500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO6424

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:420mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:228mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS052P04M8LTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS052P04M8LTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS052P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W€23W

    阈值电压:2.4V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@20V

    连续漏极电流:4.7A€13.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:69mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@75V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1440-TL-E 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1440-TL-E 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":296,"16+":25733}

    包装规格(MPQ):700psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1440-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1W€20W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:130pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.1Ω@800mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@75V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:420mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:420mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6JC5TCR

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:280mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV45EN2R 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV45EN2R 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV45EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37EN2R 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV45EN2R 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV45EN2R 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV45EN2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:510mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:209pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 UT6JC5TCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6JC5TCR

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:265pF@30V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:280mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFWS052P04M8LTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFWS052P04M8LTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFWS052P04M8LTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W€23W

    阈值电压:2.4V@95µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@20V

    连续漏极电流:4.7A€13.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:69mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246L 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:335pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:228mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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