采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL40T65MQD
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：109ns
反向恢复时间：33ns
关断损耗：520µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：86nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，40A
导通损耗：860µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R150CFD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：195.3W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：22.4A
类型：MOSFET
导通电阻：135mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP200N25N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：64A
类型：MOSFET
导通电阻：17.5mΩ
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP200N25N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：64A
类型：MOSFET
导通电阻：17.5mΩ
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL40T65MQD
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：109ns
反向恢复时间：33ns
关断损耗：520µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：86nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，40A
导通损耗：860µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL40T65MQD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：109ns
反向恢复时间：33ns
关断损耗：520µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：86nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，40A
导通损耗：860µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R150CFD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：195.3W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：22.4A
类型：MOSFET
导通电阻：135mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL40T65MQD
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：109ns
反向恢复时间：33ns
关断损耗：520µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：86nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，40A
导通损耗：860µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL40T65MQD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：109ns
反向恢复时间：33ns
关断损耗：520µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：86nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，40A
导通损耗：860µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP220N25NFD
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：61A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP200N25N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：64A
类型：MOSFET
导通电阻：17.5mΩ
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP220N25NFD
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：61A
类型：MOSFET
导通电阻：19mΩ
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP200N25N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：64A
类型：MOSFET
导通电阻：17.5mΩ
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：FGHL40T65MQD
反向恢复时间：33ns
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：109ns
导通损耗：860µJ
关断损耗：520µJ
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：22ns
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，40A
ECCN：EAR99
工作温度：-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：86nC
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP200N25N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：64A
类型：MOSFET
导通电阻：17.5mΩ
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP200N25N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：64A
类型：MOSFET
导通电阻：17.5mΩ
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP200N25N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：64A
类型：MOSFET
导通电阻：17.5mΩ
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP200N25N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：64A
类型：MOSFET
导通电阻：17.5mΩ
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL40T65MQD
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：109ns
反向恢复时间：33ns
关断损耗：520µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：86nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，40A
导通损耗：860µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP65R150CFD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：195.3W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：22.4A
类型：MOSFET
导通电阻：135mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FGHL40T65MQD
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：109ns
反向恢复时间：33ns
关断损耗：520µJ
开启延迟时间：22ns
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：86nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，40A
导通损耗：860µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP200N25N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：300W
阈值电压：2V
栅极电荷：86nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：64A
类型：MOSFET
导通电阻：17.5mΩ
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：FGHL40T65MQD
反向恢复时间：33ns
集电极脉冲电流(Icm)：160A
关断延迟时间：109ns
导通损耗：860µJ
关断损耗：520µJ
类型：沟槽型场截止
开启延迟时间：22ns
集电极电流(Ic)：1.8V@15V，40A
ECCN：EAR99
工作温度：-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices)：650V
栅极电荷：86nC
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
库存：
