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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L025ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L025ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L025ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2V@24µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2019pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.56mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS002N04CTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS002N04CTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS002N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€85W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:27A€136A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH15H017SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH15H017SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH15H017SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2344pF@75V

    连续漏极电流:11A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订143个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R102G7XTMA1 起订143个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:141W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1320pF@400V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R125C7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R125C7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R125C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@390µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS4D1N06CLTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS4D1N06CLTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS4D1N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€79W

    阈值电压:2V@80µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@25V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS002N04CTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS002N04CTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS002N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€85W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:27A€136A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z34STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@11A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R125C7AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPL60R125C7AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPL60R125C7AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@390µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@400V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60N10S412ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:94W

    阈值电压:3.5V@46µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:9.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@16A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订18个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订18个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4126 起订7个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4126 起订7个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4126

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:7.5A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@16A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP102-TL-H 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP102-TL-H 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP102-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@10V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:18.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4126 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4126 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4126

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:7.5A€43A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订798个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订798个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5810-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:7.4A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3021SSS-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3021SSS-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.799nF@15V

    连续漏极电流:39A€10.4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2009USS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2009USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1706pF@10V

    连续漏极电流:12.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@12A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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