采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT5N50C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，2.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT5N50C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，2.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT5N50C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，2.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT5N50C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，2.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT5N50C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，2.5A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9120PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
