采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12250，"23+"：7200，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12250，"23+"：7200，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12250，"23+"：7200，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12250，"23+"：7200，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6290
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：7.3W（Ta），208W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600 pF @ 50 V
连续漏极电流：28A（Ta），85A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.6 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6290
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：7.3W（Ta），208W（Tc）
阈值电压：3.4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600 pF @ 50 V
连续漏极电流：28A（Ta），85A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.6 毫欧 @ 20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Littelfuse
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ86N20T
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：480W（Tc）
阈值电压：5V @ 1mA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：4500 pF @ 25 V
连续漏极电流：86A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：29 毫欧 @ 500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
