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品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：198821，"MI+"：30000}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3706
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€44W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1882pF@10V
连续漏极电流：14.7A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@16.2A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500，"18+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806NAT4G
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：300，"14+"：11700，"15+"：34050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2205
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM180P03CS RLG
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8748PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2139pF@15V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8748PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2139pF@15V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7469TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@20V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN30XPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：550mW€6.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1575pF@10V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@5.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLB8748PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2139pF@15V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：641，"16+"：129500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：300，"14+"：11700，"15+"：34050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR8726TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@15V
连续漏极电流：86A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR8726TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.35V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@15V
连续漏极电流：86A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7116DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@16.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：369psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17303Q5
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：散装
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
