品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@20V
连续漏极电流:53.3A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4101DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8190pF@15V
连续漏极电流:25.7A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF250P224
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9915pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@58A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@20V
连续漏极电流:53.3A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4101DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8190pF@15V
连续漏极电流:25.7A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF250P224
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9915pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@58A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF200P222
工作温度:-55℃~175℃
功率:556W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9820pF@50V
连续漏极电流:182A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@82A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):59psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW78N65M5
工作温度:150℃
功率:450W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9000pF@100V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):59psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW78N65M5
工作温度:150℃
功率:450W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9000pF@100V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF200P222
工作温度:-55℃~175℃
功率:556W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9820pF@50V
连续漏极电流:182A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@82A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4101DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8190pF@15V
连续漏极电流:25.7A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF250P224
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9915pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@58A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):59psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW78N65M5
工作温度:150℃
功率:450W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9000pF@100V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF200P222
工作温度:-55℃~175℃
功率:556W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9820pF@50V
连续漏极电流:182A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@82A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF200P222
工作温度:-55℃~175℃
功率:556W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9820pF@50V
连续漏极电流:182A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@82A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP054N10
工作温度:-55℃~+175℃
功率:263W
阈值电压:4.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13.28nF@25V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF200P222
工作温度:-55℃~175℃
功率:556W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9820pF@50V
连续漏极电流:182A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@82A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF250P224
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9915pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@58A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF250P224
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9915pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@58A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):59psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW78N65M5
工作温度:150℃
功率:450W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9000pF@100V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@34.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL9403L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14100pF@20V
连续漏极电流:53.3A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF200P222
工作温度:-55℃~175℃
功率:556W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9820pF@50V
连续漏极电流:182A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@82A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF250P224
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9915pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@58A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4101DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8190pF@15V
连续漏极电流:25.7A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF200P222
工作温度:-55℃~175℃
功率:556W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9820pF@50V
连续漏极电流:182A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@82A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF200P222
工作温度:-55℃~175℃
功率:556W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9820pF@50V
连续漏极电流:182A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@82A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF250P224
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9915pF@50V
连续漏极电流:96A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@58A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4101DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:203nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8190pF@15V
连续漏极电流:25.7A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: