包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP7NC60HD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:37ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGF7NC60HD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:37ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"14+":250}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRGS4630DPBF
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):54A
关断延迟时间:105ns
反向恢复时间:100ns
关断损耗:350µJ
开启延迟时间:40ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):1.95V@15V,18A
导通损耗:95µJ
工作温度:-40℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP7NC60HD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:37ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP7NC60HD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:37ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP7NC60HD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:37ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP7NC60HD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:37ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:5V
栅极电荷:35nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:29A
类型:MOSFET
导通电阻:100mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40T65SPD-F155
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:37ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:35nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.16mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V
栅极电荷:35nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:29A
类型:MOSFET
导通电阻:102mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB7NC60HDT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:37ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V
栅极电荷:35nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:29A
类型:MOSFET
导通电阻:102mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"MI+":722}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40T65SPD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:37ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:35nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.16mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):STGB7NC60HDT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:37ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V
栅极电荷:35nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:29A
类型:MOSFET
导通电阻:102mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":489}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40T65SPD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:37ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:35nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.16mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD7NC60HT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD7NC60HT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP7NC60HD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:37ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"MI+":722}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40T65SPD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:37ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:35nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.16mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STGP7NC60HD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
反向恢复时间:37ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD7NC60HT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STGD7NC60HT4
包装方式:卷带(TR)
集电极脉冲电流(Icm):50A
关断延迟时间:72ns
关断损耗:115µJ
开启延迟时间:18.5ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:35nC
集电极电流(Ic):2.5V@15V,7A
导通损耗:95µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":489}
销售单位:个
规格型号(MPN):FGH40T65SPD-F155
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):120A
关断延迟时间:37ns
反向恢复时间:34ns
关断损耗:280µJ
开启延迟时间:16ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:35nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.4V@15V,40A
导通损耗:1.16mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3
工作温度:-55℃~+155℃
功率:156W
阈值电压:4V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:13A
类型:MOSFET
导通电阻:304mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V
栅极电荷:35nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:29A
类型:MOSFET
导通电阻:102mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V
栅极电荷:35nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:29A
类型:MOSFET
导通电阻:102mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB105N60EF-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V
栅极电荷:35nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:29A
类型:MOSFET
导通电阻:102mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: