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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：18594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3821-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：18594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3821-E
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功率：1.65W€65W
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包装方式：散装
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类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：18594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3821-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
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ECCN：EAR99
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包装方式：散装
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类型：N沟道
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"MI+"：6460}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"MI+"：6460}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
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库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
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连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
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输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
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连续漏极电流：46A
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导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
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库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：18594}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3821-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4200pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
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连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
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输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"MI+"：6460}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
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输入电容：5190pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
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输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
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输入电容：4431pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
包装方式：卷带（TR）
功率：2.5W€125W
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
阈值电压：2.3V@92µA
类型：N沟道
栅极电荷：73nC@10V
连续漏极电流：22A€150A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
输入电容：5190pF@50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：16mΩ@8A，10V
输入电容：4431pF@50V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：73nC@10V
连续漏极电流：46A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM160N10LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4431pF@50V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
