品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S3-20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270μA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:5.24nF@25V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,64A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S3-20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270μA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:5.24nF@25V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,64A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S3-20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270μA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:5.24nF@25V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,64A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S3-20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270μA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:5.24nF@25V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,64A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S3-20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270μA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:5.24nF@25V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,64A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S3-20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270μA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:5.24nF@25V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,64A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S3-20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270μA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:5.24nF@25V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,64A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S3-20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270μA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:5.24nF@25V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,64A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S3-20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270μA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:5.24nF@25V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,64A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR582DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5.6W€92.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.36nF@40V
连续漏极电流:116A€28.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR582DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5.6W€92.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.36nF@40V
连续漏极电流:116A€28.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@15A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB64N25S3-20
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@270μA
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:5.24nF@25V
连续漏极电流:64A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:17.5mΩ@10V,64A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
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