采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€20W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB120EPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：309pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB120EPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：309pF@15V
连续漏极电流：2.4A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4405
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3099LQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：563pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：3Ω@900mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS481ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：62.5W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@75V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：1.095Ω@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
