采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOD2N60
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功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：AOD2N60
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功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD770N15A
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功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
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规格型号(MPN)：AOD2N60
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功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD770N15A
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功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：AOD2N60
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功率：56.8W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
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输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
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规格型号(MPN)：AOD2N60
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输入电容：325pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AOU2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：AOD2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
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规格型号(MPN)：AOU2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：AOU2N60
工作温度：-50℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
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规格型号(MPN)：AOU2N60
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导通电阻：4.4Ω@1A，10V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD2N60
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功率：56.8W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.4Ω@1A，10V
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导通电阻：4.4Ω@1A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD770N15A
工作温度：-55℃~150℃
功率：56.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@75V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：77mΩ@12A，10V
漏源电压：150V
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规格型号(MPN)：AOD2N60
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包装方式：卷带（TR）
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