采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5867NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SVD5867NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SVD5867NLT4G
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：3.3W€43W
漏源电压：60V
连续漏极电流：22A
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：15nC@10V
导通电阻：39mΩ@11A，10V
输入电容：675pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：AOTF2910L
阈值电压：2.7V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
功率：2.1W€27W
连续漏极电流：22A
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1190pF@50V
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5867NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF2910L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€27W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1190pF@50V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5867NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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