采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP20N60C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：165，"19+"：65}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA20N65C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.5W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP20N65C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPA20N60C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：34.5W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：184，"18+"：5117}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK662R5-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：204W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6960pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：30，"22+"：60}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDUL09N150CG
工作温度：150℃
功率：3W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2025pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW20N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7421
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€83W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@10V
连续漏极电流：30A€50A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5000，"19+"：7987，"20+"：4390，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E3R5-60E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8920pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7421
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€83W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@10V
连续漏极电流：30A€50A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT430
工作温度：-55℃~175℃
功率：268W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4700pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@30A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7421
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€83W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@10V
连续漏极电流：30A€50A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H005LCT
工作温度：-55℃~150℃
功率：187W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3688pF@50V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM050NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6904pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP099N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3465pF@380V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R1-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8920pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1575}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP20N65C3XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK763R1-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：293W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8920pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB20N60C3ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.9V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：20.7A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@13.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR450DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5920pF@20V
连续漏极电流：36A€113A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@10A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
