采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：379064，"07+"：16200，"08+"：2662，"09+"：4200}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：2399，"06+"：266500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：2399，"06+"：266500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：640，"08+"：6450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：379064，"07+"：16200，"08+"：2662，"09+"：4200}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：640，"08+"：6450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
功率：57W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：60A
栅极电荷：35nC@4.5V
ECCN：EAR99
输入电容：3640pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS28DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3640pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.52mΩ@15A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
