采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N60CTM-WS
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2000，"22+"：143}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2000，"22+"：143}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2000，"22+"：143}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N60CTM-WS
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB5N60CTM-WS
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1802
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP5N60C
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
阈值电压：2.7V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：560mW€6.25W
漏源电压：60V
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：646pF@30V
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQI5N60CTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.25A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN55ENEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：646pF@30V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
