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    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 19nC@10V
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM045NA03CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM045NA03CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM045NA03CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1194pF@15V

    连续漏极电流:108A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM045NA03CR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM045NA03CR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM045NA03CR RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1194pF@15V

    连续漏极电流:108A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:365mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC079N03LSCGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC079N03LSCGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC079N03LSCGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@15V

    连续漏极电流:14A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1656pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":6508,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:815
    onsemi Mosfet场效应管 STTFS015N10MCL
    onsemi Mosfet场效应管 STTFS015N10MCL

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STTFS015N10MCL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€45W

    阈值电压:3V@77µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1338pF@50V

    连续漏极电流:10A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.9mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86102

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86102

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€62W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@50V

    连续漏极电流:8A€36A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5N95K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2238}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5N95K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3
    ST Mosfet场效应管 STD5N95K3

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5N95K3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@2A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L-L701
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8015L-L701

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8015L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€24W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:945pF@20V

    连续漏极电流:7A€18A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18504Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:20+

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18504Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1656pF@20V

    连续漏极电流:15A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR420TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR420TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1.4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV55ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV55ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:478mW€8.36W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:646pF@30V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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