品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3415STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@22A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.9V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:34.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@21.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14600pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2204PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:210A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@130A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6591,"23+":8740,"24+":7297}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT014N08NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@40V
连续漏极电流:37A€331A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@150A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14600pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404LPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7450pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3415PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@22A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@10V
连续漏极电流:17.5A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3415STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@22A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":11000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF3805S-7P
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7820pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@140A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP140P05T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
输入电容:13500pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@70A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:1125
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW77N65M5
工作温度:150℃
功率:400W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9800pF@100V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@34.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7450pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":800,"22+":8800}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1404STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":14000}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1404S
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF60DM206
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:3.7V@150µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6530pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3415STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@22A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9820pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:5.3mΩ@41.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: