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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2050
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：989，"10+"：5159，"11+"：35000，"12+"：25000，"13+"：2490，"14+"：1996，"15+"：82606，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ031NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@12V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ031NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@12V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ031NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@12V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ031NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@12V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ031NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@12V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：16159}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：16159}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ031NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@12V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ031NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@12V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ031NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@12V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：989，"10+"：5159，"11+"：35000，"12+"：25000，"13+"：2490，"14+"：1996，"15+"：82606，"23+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ031NE2LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@12V
连续漏极电流：19A€40A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL024NTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@2.8A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2050
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4816NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
