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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1822}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5006TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@30V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
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类型：N沟道
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功率：1.9W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-E3
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功率：1.9W
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
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生产批次：{"23+"：1822}
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规格型号(MPN)：IRFH5006TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
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输入电容：4175pF@30V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
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生产批次：{"23+"：1822}
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规格型号(MPN)：IRFH5006TRPBF
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功率：3.6W€156W
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连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
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导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
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连续漏极电流：11A
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导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：100nC@10V
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导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：100nC@10V
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连续漏极电流：11A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH5006TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@30V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1822}
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规格型号(MPN)：IRFH5006TRPBF
栅极电荷：100nC@10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1822}
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规格型号(MPN)：IRFH5006TRPBF
栅极电荷：100nC@10V
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
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ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-E3
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功率：1.9W
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连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
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功率：3.6W€156W
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栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：3.6W€156W
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栅极电荷：100nC@10V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1822}
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@30V
连续漏极电流：21A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
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