品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D52
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:782pF@15V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:4V@700μA
栅极电荷:17.5nC@10V
输入电容:916pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.96mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":6150}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4909N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.37W€29.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1314pF@15V
连续漏极电流:8.8A€41A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R5-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1093pF@12V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC38N10YA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1209pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD360N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:916pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC38N10YA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1209pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC38N10YA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1209pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF360N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:26W
阈值电压:4V@700μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
输入电容:916pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.96mΩ@10V,5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G33N03D52
工作温度:-55℃~150℃
功率:29W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:782pF@15V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN6R5-25YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1093pF@12V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC38N10YA-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1209pF@50V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP10H400SEQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€13.7W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1239pF@25V
连续漏极电流:2.3A€6A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: