品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":12852}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N06S402AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX32N100Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1250W
阈值电压:6.5V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9940pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@16A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN80N50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:700W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:12700pF@25V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":8000,"16+":14700}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP120N06S402AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1400,"20+":9350}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI120N06S402AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1928
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:29A
类型:P沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:29A
类型:P沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.1V@270µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:29A
类型:P沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA26EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:500W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:195nC@10V
输入电容:9.778nF@25V
连续漏极电流:410A
类型:1个N沟道
导通电阻:0.77mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:29A
类型:P沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.1V@270µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:29A
类型:P沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:29A
类型:P沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.1V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1116,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB017N10N5LFATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:4.1V@270µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@50V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH240N15X4
工作温度:-55℃~175℃
功率:940W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH240N15X4
工作温度:-55℃~175℃
功率:940W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@120A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@15V
连续漏极电流:29A
类型:P沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18509Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€195W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13900pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N06S402ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: