品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD053N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€83W
阈值电压:2.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@30V
连续漏极电流:18A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9435CS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:551.57pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@5.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD053N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€83W
阈值电压:2.8V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@30V
连续漏极电流:18A€45A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
输入电容:1310pF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@6.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L140SPTL1
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:4V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@6.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA20EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:22.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD900P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:63W
阈值电压:4V@710µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:16.4A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@16.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:4V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@60V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2.8V@36µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@30V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.9W€29.8W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:985pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9411L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:48.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1210pF@20V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2NK90Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:70W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@1.05A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:24.5mΩ@18A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP202-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS014P04M8LTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€88W
阈值电压:3V@420µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16900pF@25V
连续漏极电流:10.4A€53A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO083N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:978pF@50V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@7.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1230,"14+":49000,"17+":18990,"19+":19000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPI07N60C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.9V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:790pF@25V
连续漏极电流:7.3A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: