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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD053N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9435CS RLG 起订4个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM9435CS RLG 起订4个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM9435CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551.57pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD17P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD053N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS5351 起订25个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS5351 起订25个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5351

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    输入电容:1310pF@30V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L140SPTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L140SPTL1

    工作温度:150℃

    功率:20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@10V

    连续漏极电流:14A

    类型:P沟道

    导通电阻:84mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R125G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R125G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@320µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ146EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ146EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA20EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA20EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA20EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:22.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD900P06NMATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD900P06NMATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD900P06NMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@710µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:16.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@16.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ240N12NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ240N12NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@60V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.8V@36µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR474DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR474DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:985pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9411L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@20V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订15个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR9120NTRPBF 起订15个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:480mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD2NK90Z-1 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD2NK90Z-1 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2NK90Z-1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5Ω@1.05A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105ZTRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4105ZTRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR4105ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:740pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订919个装
    onsemi Mosfet场效应管 ATP202-TL-H 起订919个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}

    销售单位:

    规格型号(MPN):ATP202-TL-H

    工作温度:150℃

    功率:40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS014P04M8LTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTYS014P04M8LTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTYS014P04M8LTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€88W

    阈值电压:3V@420µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16900pF@25V

    连续漏极电流:10.4A€53A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO083N03MSGXUMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO083N03MSGXUMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO083N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ488EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ488EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:978pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD17P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPI07N60C3XKSA1 起订367个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPI07N60C3XKSA1 起订367个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":1230,"14+":49000,"17+":18990,"19+":19000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPI07N60C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:3.9V@350µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:790pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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