品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86181
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4125pF@50V
连续漏极电流:44A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR540ZTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5210TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€104W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2570pF@25V
连续漏极电流:10A€55A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5210TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€104W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2570pF@25V
连续漏极电流:10A€55A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2958}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH8316TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€59W
阈值电压:2.2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@10V
连续漏极电流:27A€50A
类型:N沟道
导通电阻:2.95mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW4R008NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:800mW€142W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@40V
连续漏极电流:116A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5210TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€104W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2570pF@25V
连续漏极电流:10A€55A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSIATMA1
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@12V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.05mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y3R0-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:172W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5449pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFH5210TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W€104W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2570pF@25V
连续漏极电流:10A€55A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@33A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LSIATMA1
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4200pF@12V
连续漏极电流:38A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.05mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E200BNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR540ZTRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT063N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4.6V@153µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@75V
连续漏极电流:16.2A€122A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT063N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4.6V@153µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@75V
连续漏极电流:16.2A€122A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86181
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4125pF@50V
连续漏极电流:44A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: