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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7806ADN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS100N03FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：13.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS100N03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：1.07nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS100N03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：1.07nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS100N03FRATB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：13.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7806ADN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7806ADN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS100N03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：1.07nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7806ADN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
