品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:150A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:150A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:150A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4538}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IXBH9N160G
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):10A
集电极截止电流(Ices):1600V
栅极电荷:34nC
集电极电流(Ic):7V@15V,5A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOK30B60D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):96A
关断延迟时间:58ns
反向恢复时间:120ns
关断损耗:240µJ
开启延迟时间:20ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:34nC
集电极电流(Ic):2.4V@15V,26A
导通损耗:1.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOK30B60D1
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):96A
关断延迟时间:58ns
反向恢复时间:120ns
关断损耗:240µJ
开启延迟时间:20ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:34nC
集电极电流(Ic):2.4V@15V,26A
导通损耗:1.1mJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IXBH9N160G
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):10A
集电极截止电流(Ices):1600V
栅极电荷:34nC
集电极电流(Ic):7V@15V,5A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NWFT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:110W
阈值电压:4V
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:150A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IXBH9N160G
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):10A
集电极截止电流(Ices):1600V
栅极电荷:34nC
集电极电流(Ic):7V@15V,5A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4538}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
阈值电压:3V
连续漏极电流:2A
导通电阻:190mΩ
功率:36W
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IXBH9N160G
工作温度:-55℃ ~ 150℃
集电极脉冲电流(Icm):10A
栅极电荷:34nC
集电极截止电流(Ices):1600V
集电极电流(Ic):7V@15V,5A
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
阈值电压:3V
连续漏极电流:2A
导通电阻:190mΩ
功率:36W
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":32000,"MI+":2000}
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
阈值电压:3V
连续漏极电流:2A
导通电阻:190mΩ
功率:36W
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
ECCN:EAR99
类型:MOSFET
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):IXBH9N160G
工作温度:-55℃ ~ 150℃
集电极脉冲电流(Icm):10A
栅极电荷:34nC
集电极截止电流(Ices):1600V
集电极电流(Ic):7V@15V,5A
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF190N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:36W
阈值电压:3V
栅极电荷:34nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:2A
类型:MOSFET
导通电阻:190mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: