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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4340，"23+"：7043}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD09P06PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6008SCTQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ068N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€46W
阈值电压：3.3V@20µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6008SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD09P06PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6008SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：867，"21+"：3246}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ068N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€46W
阈值电压：3.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC066N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC066N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@10µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6008SCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：210W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2596pF@30V
连续漏极电流：130A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC066N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD09P06PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：867，"21+"：3246}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ068N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€46W
阈值电压：3.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC066N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD30N06S4L23ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：2.2V@10µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1560pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ068N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€46W
阈值电压：3.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD09P06PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD09P06PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD09P06PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC066N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3.3V@20µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC066N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3.3V@20µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：45939，"24+"：7990}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ068N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€46W
阈值电压：3.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD09P06PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
