品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65K
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65A-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":21337,"17+":1500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1345-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1020pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:275mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":21337,"17+":1500}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1345-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1020pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:275mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65K
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65K
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65M
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:768pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65K
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65M
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:768pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT12N40L
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:590mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65K
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65K
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65A-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT12N40L
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:590mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT12N40L
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1110pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:590mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65K
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":942}
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1345-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@20V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:275mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65K
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65A-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF11N65-BP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GC11N65M
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:768pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):GC11N65M
输入电容:768pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:78W
漏源电压:650V
栅极电荷:21nC@10V
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":21337,"17+":1500}
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):SFT1345-H
工作温度:150℃
连续漏极电流:11A
输入电容:1020pF@20V
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:275mΩ@5.5A,10V
ECCN:EAR99
包装方式:散装
漏源电压:100V
功率:1W€35W
包装清单:商品主体 * 1
库存: