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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
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规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
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功率：2W
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功率：2W
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输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
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连续漏极电流：13A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
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功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
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漏源电压：30V
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输入电容：1900pF@15V
类型：N沟道
栅极电荷：36nC@10V
连续漏极电流：13A
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阈值电压：2.5V@1mA
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规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
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漏源电压：100V
功率：2W
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功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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