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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
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连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503KCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：188W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3150pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503KCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：188W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503KCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：188W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
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ECCN：EAR99
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导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
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阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
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连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
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栅极电荷：36nC@10V
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连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
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输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
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连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
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类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
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类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
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连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
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连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18503KCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：188W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3150pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@75A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
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输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
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类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19503KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：188W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2730pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@60A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：TI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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